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最后更新：2025-11-15
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生產(chǎn)企業(yè)：四川超邁智能裝備有限公司
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產(chǎn)品詳細介紹本設備主要用于半導體刻蝕，能夠兼容離子束刻蝕和反應離子刻蝕功能，使用氣態(tài)化學刻蝕劑與材料產(chǎn)生反應來進行刻蝕，并形成可從襯底上移除的揮發(fā)性副產(chǎn)品，通過真空系統(tǒng)排出，特別適合刻蝕熔融石英、硅、光刻膠、聚酷亞胺( PI) 薄膜、金屬等材料。
尺寸：Φ1500mm，Φ2000mm
刻蝕材料：石英、硅、金屬、光刻膠等材料
刻蝕均勻性：2%~8%（光刻膠）
刻蝕速率：50nm~500nm/min真空度（極限）：5x10-4Pa
氣路MFC：標配6種氣體，耐腐蝕±0.5%FSI
刻蝕表面粗糙增加值：優(yōu)于0.2nm
本設備可根據(jù)客戶技術需求，定制研發(fā)生產(chǎn)，具體詳情請電聯(lián)我司。 |
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| 加入時間：2025-09-22
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